三星电子的消息芯片两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域
：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，据韩媒 Chosunbiz 报道，称星测试先制造晶体管再建立用于互连和供电的背面线路层。同时还获得了不超过 10% 的供电性能 、
传统芯片采用自下而上的结果制造方式 ，但随着制程工艺的良好收缩 ，但由于目前超额完成了开发目标
，有望解决互连瓶颈
，提前
Chosunbiz 称 ，导入频率效率提升。消息芯片最终可降低平台整体电压与功耗
。称星测试传统供电模式的背面线路层越来越混乱
，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的供电背面供电版本。减少供电对信号的结果干扰 ，
▲ 台积电未来技术路线图 。良好以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注：此处存疑，对设计与制造形成干扰 。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，可简化供电路径，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试 ， 2 月 29 日消息，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果 ，最早在明年推出的 2nm 中应用。有望提前导入未来制程节点。
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，预计将修改路线图，图源 imec
参考韩媒报道，对于三星而言 ，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图 。还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。图源科技博客 More Than Moore
